产品简介
技术参数品牌：TI/德州仪器型号：CSD15380F3封装：PICOST批次：22+数量：7700制造商：TexasInstruments产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：SMD/SMT封装/箱体：PICOSTAR-3通道数量：1Channel晶体管极性：N-ChannelVds-漏源极击穿电压：20VId-连续漏极电流：500mARdsOn-漏源导通电阻：1
详情介绍
技术参数
| 品牌： | TI/德州仪器 |
| 型号： | CSD15380F3 |
| 封装： | PICOST |
| 批次： | 22+ |
| 数量： | 7700 |
| 制造商： | Texas Instruments |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | PICOSTAR-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 20 V |
| Id-连续漏极电流： | 500 mA |
| Rds On-漏源导通电阻： | Ohms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 10 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | V |
| Qg-栅极电荷： | 216 pC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 500 mW (1/2 W) |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | mm |
| 长度： | mm |
| 系列： | CSD15380F3 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | mm |
| 下降时间： | 7 ns |
| 上升时间： | 1 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 7 ns |
| 典型接通延迟时间： | 3 ns |
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