技术参数
| 品牌： | TI/德州仪器 |
| 型号： | CSD19538Q2 |
| 封装： | WSON6 |
| 批次： | 22+ |
| 数量： | 15000 |
| 制造商： | Texas Instruments |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | WSON-FET-6 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 100 V |
| Id-连续漏极电流： | 50 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 59 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | V |
| Qg-栅极电荷： | nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | mm |
| 长度： | 2 mm |
| 系列： | CSD19538Q2 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 2 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 19 S |
| 下降时间： | 2 ns |
| 上升时间： | 3 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 7 ns |
| 典型接通延迟时间： | 5 ns |
| 单位重量： | 6 mg |
所有评论仅代表网友意见，与本站立场无关。