产品简介
技术参数品牌：TI/德州仪器型号：CSD87381PT封装：PTAB5批次：22+数量：5250制造商：TexasInstruments产品种类：MOSFETRoHS：是技术：Si安装风格：SMD/SMT封装/箱体：PTAB-5通道数量：2Channel晶体管极性：N-ChannelVds-漏源极击穿电压：30VId-连续漏极电流：15ARdsOn-漏源导通电阻：15
详情介绍
技术参数
| 品牌： | TI/德州仪器 |
| 型号： | CSD87381PT |
| 封装： | PTAB5 |
| 批次： | 22+ |
| 数量： | 5250 |
| 制造商： | Texas Instruments |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | PTAB-5 |
| 通道数量： | 2 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 30 V |
| Id-连续漏极电流： | 15 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | mOhms, 7 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 10 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | V, V |
| Qg-栅极电荷： | nC, nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 4 W |
| 配置： | Dual |
| 商标名： | NexFET |
| 高度： | mm |
| 长度： | 3 mm |
| 系列： | CSD87381P |
| 晶体管类型： | 2 N-Channel |
| 类型： | Synchronous Buck NexFET Power Stage |
| 宽度： | mm |
| 商标： | Texas Instruments |
| 正向跨导 - 最小值： | 40 S, 89 S |
| 下降时间： | 3 ns, ns |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | ns, ns |
| 工厂包装数量： | 250 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间： | ns, ns |
| 典型接通延迟时间： | ns, ns |
| 单位重量： | mg |
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