产品简介
					
					
						
						技术参数品牌:ON/安森美型号:NCP5106BDR2G封装:SOIC-8批次:21+数量:9389对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求湿气敏感性等级(MSL):1(无限)类别:集成电路(IC)产品族:PMIC-栅极驱动器驱动配置:半桥通道类型:独立式驱动器数:2栅极类型:IGBT
					 
					
						详情介绍
					
					
						
技术参数
| 品牌: | ON/安森美 | 
| 型号: | NCP5106BDR2G | 
| 封装: | SOIC-8 | 
| 批次: | 21+ | 
| 数量: | 9389 | 
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况: | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 | 
| 湿气敏感性等级 (MSL): | 1(无限) | 
| 类别: | 集成电路(IC) | 
| 产品族: | PMIC - 栅极驱动器 | 
| 驱动配置: | 半桥 | 
| 通道类型: | 独立式 | 
| 驱动器数: | 2 | 
| 栅极类型: | IGBT,N 沟道 MOSFET | 
| 电压 - 供电: | 10V ~ 20V | 
| 逻辑电压 - VIL,VIH: | , | 
| 电流 - 峰值输出(灌入,拉出): | 250mA,500mA | 
| 输入类型: | 非反相 | 
| 高压侧电压 - 值(自举): | 600V | 
| 上升/下降时间(典型值): | 85ns,35ns | 
| 工作温度: | -40°C ~ 125°C (TJ) | 
| 安装类型: | 表面贴装型 | 
| 封装/外壳: | 8-SOIC(", 宽) | 
					 
					
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